Muisti

AS7C1025B-15TJCN

AS7C1025B-15TJCN

osa: 33572

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C31025B-12TJCN

AS7C31025B-12TJCN

osa: 33625

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C31024B-12TJCN

AS7C31024B-12TJCN

osa: 33651

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C31025B-15TJCN

AS7C31025B-15TJCN

osa: 33667

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C1025B-10TJCN

AS7C1025B-10TJCN

osa: 33644

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C1024B-15TJCN

AS7C1024B-15TJCN

osa: 33581

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C2008-55SIN

AS6C2008-55SIN

osa: 31090

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS6C2008A-55SIN

AS6C2008A-55SIN

osa: 31136

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS7C31024B-15TJCN

AS7C31024B-15TJCN

osa: 33575

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C31025B-10TJCN

AS7C31025B-10TJCN

osa: 33627

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C1025B-15JCNTR

AS7C1025B-15JCNTR

osa: 33488

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C1025B-12JCNTR

AS7C1025B-12JCNTR

osa: 33566

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS6C62256-55PCN

AS6C62256-55PCN

osa: 33185

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS4C8M16SA-6TCN

AS4C8M16SA-6TCN

osa: 33173

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

osa: 34465

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

osa: 33469

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C31026C-12TINTR

AS7C31026C-12TINTR

osa: 31714

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C31026C-12BINTR

AS7C31026C-12BINTR

osa: 146

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

osa: 33426

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

osa: 33389

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS6C62256A-70SCNTR

AS6C62256A-70SCNTR

osa: 46356

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
AS6C62256A-70SINTR

AS6C62256A-70SINTR

osa: 46766

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
AS7C1026C-15TINTR

AS7C1026C-15TINTR

osa: 31791

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C4M16SA-6BANTR

AS4C4M16SA-6BANTR

osa: 33984

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C2M32S-7BCNTR

AS4C2M32S-7BCNTR

osa: 33972

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C8M16D1-5BINTR

AS4C8M16D1-5BINTR

osa: 33984

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C2008-55BIN

AS6C2008-55BIN

osa: 32176

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS6C2008A-55BIN

AS6C2008A-55BIN

osa: 32137

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS6C2016-55BIN

AS6C2016-55BIN

osa: 32168

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (128K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS7C31025B-12JINTR

AS7C31025B-12JINTR

osa: 34625

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C31026B-12JINTR

AS7C31026B-12JINTR

osa: 34707

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS4C4M16D1A-5TANTR

AS4C4M16D1A-5TANTR

osa: 91

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C1024B-15TJINTR

AS7C1024B-15TJINTR

osa: 123

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C31025B-12TJINTR

AS7C31025B-12TJINTR

osa: 34718

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C1026B-15JINTR

AS7C1026B-15JINTR

osa: 34625

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C1024B-12JINTR

AS7C1024B-12JINTR

osa: 34719

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista