Muisti

AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

osa: 24573

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS4C4M16SA-6BAN

AS4C4M16SA-6BAN

osa: 24514

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C2M32S-7BCN

AS4C2M32S-7BCN

osa: 24573

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS7C31026C-12TIN

AS7C31026C-12TIN

osa: 22876

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

osa: 24515

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

osa: 24569

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS6C62256A-70PCN

AS6C62256A-70PCN

osa: 30164

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
AS6C62256A-70SCN

AS6C62256A-70SCN

osa: 36351

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
AS6C62256A-70PIN

AS6C62256A-70PIN

osa: 28927

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

osa: 974

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C164A-15PINTR

AS7C164A-15PINTR

osa: 133

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C164A-15PCNTR

AS7C164A-15PCNTR

osa: 55

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C4016-55ZINTR

AS6C4016-55ZINTR

osa: 23231

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS4C32M16D1A-5TINTR

AS4C32M16D1A-5TINTR

osa: 23274

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M16D1-5BCNTR

AS4C32M16D1-5BCNTR

osa: 23450

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C4008A-55BINTR

AS6C4008A-55BINTR

osa: 23489

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS7C256B-15PIN

AS7C256B-15PIN

osa: 23702

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C1008-55PIN

AS6C1008-55PIN

osa: 23660

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS6C4008-55STINR

AS6C4008-55STINR

osa: 23812

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS6C4008-55TINTR

AS6C4008-55TINTR

osa: 23789

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS6C4008-55STINTR

AS6C4008-55STINTR

osa: 117

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS7C34096B-10TINTR

AS7C34096B-10TINTR

osa: 146

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C34098B-10TINTR

AS7C34098B-10TINTR

osa: 76

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS4C2M32SA-6TINTR

AS4C2M32SA-6TINTR

osa: 25050

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C32M8D1-5TINTR

AS4C32M8D1-5TINTR

osa: 23772

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C4008-55ZINTR

AS6C4008-55ZINTR

osa: 23855

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS6C4008-55SINTR

AS6C4008-55SINTR

osa: 23800

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS7C31026B-12TCN

AS7C31026B-12TCN

osa: 26502

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C1026B-12TCN

AS7C1026B-12TCN

osa: 26476

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D2B-25BCNTR

AS4C64M16D2B-25BCNTR

osa: 119

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M16MD1A-5BCNTR

AS4C32M16MD1A-5BCNTR

osa: 119

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M8D1-5BCNTR

AS4C64M8D1-5BCNTR

osa: 24069

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C4M32S-7BCNTR

AS4C4M32S-7BCNTR

osa: 25288

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C64M8D3-12BINTR

AS4C64M8D3-12BINTR

osa: 131

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 800MHz,

Toivomuslista
AS4C64M8D3L-12BINTR

AS4C64M8D3L-12BINTR

osa: 137

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 800MHz,

Toivomuslista
AS6C4008A-55SIN

AS6C4008A-55SIN

osa: 24137

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista