Muisti

AS7C32096A-12TINTR

AS7C32096A-12TINTR

osa: 21202

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C32098A-12TINTR

AS7C32098A-12TINTR

osa: 21227

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (128K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C32098A-12TCNTR

AS7C32098A-12TCNTR

osa: 21170

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (128K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C32098A-10TCNTR

AS7C32098A-10TCNTR

osa: 21171

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (128K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C32096A-12TCNTR

AS7C32096A-12TCNTR

osa: 21136

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS7C32096A-10TCNTR

AS7C32096A-10TCNTR

osa: 21179

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C32096A-10TINTR

AS7C32096A-10TINTR

osa: 21226

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C32098A-10TINTR

AS7C32098A-10TINTR

osa: 21201

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (128K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C32096A-15TCNTR

AS7C32096A-15TCNTR

osa: 21227

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C32098A-15TINTR

AS7C32098A-15TINTR

osa: 21220

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (128K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C32098A-15TCNTR

AS7C32098A-15TCNTR

osa: 21135

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 2Mb (128K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

osa: 55

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 166MHz,

Toivomuslista
AS4C32M16D2A-25BANTR

AS4C32M16D2A-25BANTR

osa: 147

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D3LB-12BCNTR

AS4C64M16D3LB-12BCNTR

osa: 86

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D3B-12BCNTR

AS4C64M16D3B-12BCNTR

osa: 66

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C164A-15PCN

AS7C164A-15PCN

osa: 114

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C164A-15PIN

AS7C164A-15PIN

osa: 71

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M16D1-5BCN

AS4C32M16D1-5BCN

osa: 21751

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C4008A-55BIN

AS6C4008A-55BIN

osa: 21813

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS4C64M8D2-25BCNTR

AS4C64M8D2-25BCNTR

osa: 21837

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C34096B-10BINTR

AS7C34096B-10BINTR

osa: 109

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS6C4016-55BINTR

AS6C4016-55BINTR

osa: 21844

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D2A-25BCNTR

AS4C64M16D2A-25BCNTR

osa: 88

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C4008-55BINTR

AS6C4008-55BINTR

osa: 21927

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS4C8M16SA-6BINTR

AS4C8M16SA-6BINTR

osa: 117

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

osa: 22167

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M8D1-5BCN

AS4C64M8D1-5BCN

osa: 22323

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D2B-25BCN

AS4C64M16D2B-25BCN

osa: 96

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M8D1-5TIN

AS4C32M8D1-5TIN

osa: 22301

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS7C34096B-10TIN

AS7C34096B-10TIN

osa: 102

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C34098B-10TIN

AS7C34098B-10TIN

osa: 76

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS4C16M16D1-5BINTR

AS4C16M16D1-5BINTR

osa: 22417

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR

osa: 133

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

Toivomuslista
AS4C4M32D1A-5BINTR

AS4C4M32D1A-5BINTR

osa: 22682

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

osa: 115

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 166MHz,

Toivomuslista
AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

osa: 22721

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista