Muisti

AS4C512M16D3L-12BINTR

AS4C512M16D3L-12BINTR

osa: 3640

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

osa: 2505

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 2Gb (64M x 32), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M32MD2-25BCNTR

AS4C32M32MD2-25BCNTR

osa: 2472

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 1Gb (32M x 32), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C512M32MD3-15BCNTR

AS4C512M32MD3-15BCNTR

osa: 2485

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 667MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M16MD2-25BCNTR

AS4C64M16MD2-25BCNTR

osa: 2432

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

osa: 2473

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile SDRAM, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

osa: 2389

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile SDRAM, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C128M32MD2-18BIN

AS4C128M32MD2-18BIN

osa: 2395

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 4Gb (128M x 32), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C128M32MD2-18BCNTR

AS4C128M32MD2-18BCNTR

osa: 2441

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 4Gb (128M x 32), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C128M16MD2-25BCNTR

AS4C128M16MD2-25BCNTR

osa: 2399

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D1A-6TCN

AS4C64M16D1A-6TCN

osa: 3744

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C6416-55BINTR

AS6C6416-55BINTR

osa: 61

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D1-6TINTR

AS4C64M16D1-6TINTR

osa: 3829

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C6416-55TINTR

AS6C6416-55TINTR

osa: 117

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS7C325632-10BIN

AS7C325632-10BIN

osa: 1601

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS4C512M16D3L-12BCNTR

AS4C512M16D3L-12BCNTR

osa: 3986

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

osa: 4193

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS7C351232-10BIN

AS7C351232-10BIN

osa: 112

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (512K x 32), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C316098B-10TIN

AS7C316098B-10TIN

osa: 4269

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C316096C-10TIN

AS7C316096C-10TIN

osa: 4225

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C316096B-10TIN

AS7C316096B-10TIN

osa: 4216

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS6C3216A-55BIN

AS6C3216A-55BIN

osa: 96

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM, Muistin koko: 32Mb (2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS4C64M16MD2-25BCN

AS4C64M16MD2-25BCN

osa: 12110

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

osa: 12165

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile SDRAM, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M16MS-7BCN

AS4C32M16MS-7BCN

osa: 12176

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile SDRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M32MD2-25BCN

AS4C32M32MD2-25BCN

osa: 12151

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 1Gb (32M x 32), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C128M32MD2-18BCN

AS4C128M32MD2-18BCN

osa: 6575

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 4Gb (128M x 32), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C128M16MD2-25BCN

AS4C128M16MD2-25BCN

osa: 10987

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D2-25BANTR

AS4C64M16D2-25BANTR

osa: 16222

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D3A-12BANTR

AS4C64M16D3A-12BANTR

osa: 14811

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D3A-12BAN

AS4C64M16D3A-12BAN

osa: 10408

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

osa: 4299

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS7C316096C-10BIN

AS7C316096C-10BIN

osa: 4379

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D3LA-12BAN

AS4C64M16D3LA-12BAN

osa: 14927

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C512M8D3LA-12BIN

AS4C512M8D3LA-12BIN

osa: 7163

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C64M16D3L-12BAN

AS4C64M16D3L-12BAN

osa: 7933

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista