Muisti

AS4C8M16D1-5TCNTR

AS4C8M16D1-5TCNTR

osa: 4803

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C8M16D1-5TINTR

AS4C8M16D1-5TINTR

osa: 7901

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C4M16D1-5TCNTR

AS4C4M16D1-5TCNTR

osa: 7855

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M16D1-5TINTR

AS4C32M16D1-5TINTR

osa: 7865

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C4M16D1-5TINTR

AS4C4M16D1-5TINTR

osa: 7782

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C16M16D1-5TCNTR

AS4C16M16D1-5TCNTR

osa: 7730

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C32M16D1-5TCNTR

AS4C32M16D1-5TCNTR

osa: 7759

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C16M16D1-5TINTR

AS4C16M16D1-5TINTR

osa: 7748

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C8M16S-7TCNTR

AS4C8M16S-7TCNTR

osa: 7750

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C128MD2-25BCNTR

AS4C128MD2-25BCNTR

osa: 7692

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C8M16S-6TINTR

AS4C8M16S-6TINTR

osa: 7677

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C8M16S-6TCNTR

AS4C8M16S-6TCNTR

osa: 7658

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C8M16S-6TANTR

AS4C8M16S-6TANTR

osa: 7649

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C4M16S-7TCNTR

AS4C4M16S-7TCNTR

osa: 7630

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

osa: 7663

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

Toivomuslista
AS4C4M16S-6TINTR

AS4C4M16S-6TINTR

osa: 7631

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C4M16S-6TANTR

AS4C4M16S-6TANTR

osa: 4805

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C4M16S-6TCNTR

AS4C4M16S-6TCNTR

osa: 4844

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C16M16S-6TCNTR

AS4C16M16S-6TCNTR

osa: 7538

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS4C8M16S-7BCNTR

AS4C8M16S-7BCNTR

osa: 7498

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C16M16S-6TANTR

AS4C16M16S-6TANTR

osa: 7498

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS6C3216-55TINTR

AS6C3216-55TINTR

osa: 7419

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 32Mb (2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS6C4016A-55BINTR

AS6C4016A-55BINTR

osa: 7373

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS4C16M16S-7BCNTR

AS4C16M16S-7BCNTR

osa: 7380

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
AS7C31025C-10TJINTR

AS7C31025C-10TJINTR

osa: 7327

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C1024B-12TJINTR

AS7C1024B-12TJINTR

osa: 7376

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
AS6C4016A-55ZINTR

AS6C4016A-55ZINTR

osa: 7287

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

Toivomuslista
AS7C3256B-10TINTR

AS7C3256B-10TINTR

osa: 7266

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista
AS7C256B-15PINTR

AS7C256B-15PINTR

osa: 4761

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS6C6264A-70SINTR

AS6C6264A-70SINTR

osa: 7281

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
AS6C6264A-70SCNTR

AS6C6264A-70SCNTR

osa: 7154

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
AS4C256M8D3-12BIN

AS4C256M8D3-12BIN

osa: 11604

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C512M8D3-12BIN

AS4C512M8D3-12BIN

osa: 6606

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

osa: 6547

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS4C2M32S-6TINTR

AS4C2M32S-6TINTR

osa: 6457

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ns,

Toivomuslista
AS7C31025C-10TJIN

AS7C31025C-10TJIN

osa: 4721

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

Toivomuslista