Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

osa: 12061

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

osa: 9557

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

osa: 14337

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

osa: 7092

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

osa: 15967

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

osa: 10679

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 40A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

osa: 11089

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 40A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

osa: 7743

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N1186A
GeneSiC Semiconductor

1N1186A

osa: 11112

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 40A,

Toivomuslista
1N3768R
GeneSiC Semiconductor

1N3768R

osa: 7145

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N2130AR
GeneSiC Semiconductor

1N2130AR

osa: 10388

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3892
GeneSiC Semiconductor

1N3892

osa: 11891

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N3879
GeneSiC Semiconductor

1N3879

osa: 12395

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N3881R
GeneSiC Semiconductor

1N3881R

osa: 11499

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N3881
GeneSiC Semiconductor

1N3881

osa: 12277

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N3883
GeneSiC Semiconductor

1N3883

osa: 9906

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N3879R
GeneSiC Semiconductor

1N3879R

osa: 15729

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N3892R
GeneSiC Semiconductor

1N3892R

osa: 11929

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N3883R
GeneSiC Semiconductor

1N3883R

osa: 9515

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N8035-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

osa: 457

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 14.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 15A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
1N8034-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

osa: 435

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 9.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.34V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
1N8028-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

osa: 456

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 9.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
1N8031-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

osa: 472

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 1A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
1N3889R
GeneSiC Semiconductor

1N3889R

osa: 12088

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N8033-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

osa: 413

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4.3A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.65V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
MBR3530R
GeneSiC Semiconductor

MBR3530R

osa: 5706

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 35A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SD4145R
GeneSiC Semiconductor

SD4145R

osa: 6557

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S40MR
GeneSiC Semiconductor

S40MR

osa: 9616

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 40A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S150Q
GeneSiC Semiconductor

S150Q

osa: 2529

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR8060R
GeneSiC Semiconductor

MBR8060R

osa: 5428

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR6035
GeneSiC Semiconductor

MBR6035

osa: 5414

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRH12030
GeneSiC Semiconductor

MBRH12030

osa: 2907

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S300B
GeneSiC Semiconductor

S300B

osa: 2041

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S380ZR
GeneSiC Semiconductor

S380ZR

osa: 2007

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 2000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 380A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 380A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FR12DR05
GeneSiC Semiconductor

FR12DR05

osa: 16846

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista
MURH7010
GeneSiC Semiconductor

MURH7010

osa: 31

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 70A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista