Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
1N3291AR
GeneSiC Semiconductor

1N3291AR

osa: 3417

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3891R
GeneSiC Semiconductor

1N3891R

osa: 16921

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N4590R
GeneSiC Semiconductor

1N4590R

osa: 3412

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3880R
GeneSiC Semiconductor

1N3880R

osa: 13811

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N3209
GeneSiC Semiconductor

1N3209

osa: 13529

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3213
GeneSiC Semiconductor

1N3213

osa: 11107

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3880
GeneSiC Semiconductor

1N3880

osa: 14083

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
1N2129AR
GeneSiC Semiconductor

1N2129AR

osa: 13690

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N4594R
GeneSiC Semiconductor

1N4594R

osa: 3438

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3767
GeneSiC Semiconductor

1N3767

osa: 9608

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 900V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N2135A
GeneSiC Semiconductor

1N2135A

osa: 9653

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3673A
GeneSiC Semiconductor

1N3673A

osa: 14041

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N1183
GeneSiC Semiconductor

1N1183

osa: 10080

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N2137A
GeneSiC Semiconductor

1N2137A

osa: 9613

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N2128A
GeneSiC Semiconductor

1N2128A

osa: 11407

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N5830R
GeneSiC Semiconductor

1N5830R

osa: 5593

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 25V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N1200AR
GeneSiC Semiconductor

1N1200AR

osa: 33046

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3291A
GeneSiC Semiconductor

1N3291A

osa: 3466

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N5830
GeneSiC Semiconductor

1N5830

osa: 5574

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 25V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N5827
GeneSiC Semiconductor

1N5827

osa: 5625

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 470mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N2138A
GeneSiC Semiconductor

1N2138A

osa: 10413

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
150K20A
GeneSiC Semiconductor

150K20A

osa: 3464

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.33V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N5829
GeneSiC Semiconductor

1N5829

osa: 5641

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N4593
GeneSiC Semiconductor

1N4593

osa: 3414

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N1202A
GeneSiC Semiconductor

1N1202A

osa: 14566

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
150K60A
GeneSiC Semiconductor

150K60A

osa: 3470

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.33V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N6098R
GeneSiC Semiconductor

1N6098R

osa: 5580

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N1184R
GeneSiC Semiconductor

1N1184R

osa: 12133

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N1199AR
GeneSiC Semiconductor

1N1199AR

osa: 23979

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3294A
GeneSiC Semiconductor

1N3294A

osa: 3476

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
150KR40A
GeneSiC Semiconductor

150KR40A

osa: 3450

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.33V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3767R
GeneSiC Semiconductor

1N3767R

osa: 9573

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 900V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N2131A
GeneSiC Semiconductor

1N2131A

osa: 8790

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N1183AR
GeneSiC Semiconductor

1N1183AR

osa: 10983

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 40A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3297AR
GeneSiC Semiconductor

1N3297AR

osa: 3413

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
1N3289A
GeneSiC Semiconductor

1N3289A

osa: 3418

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista