Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 21

MBR8045

osa: 4200

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

osa: 2354

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

osa: 7100

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

osa: 2289

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

osa: 2377

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

osa: 5676

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR85G02

osa: 6031

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 85A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 85A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

osa: 7147

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

osa: 6017

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 85A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 85A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

osa: 2356

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

osa: 2350

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 70A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 110ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

osa: 2334

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

osa: 2296

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

osa: 2318

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

osa: 5231

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 300A,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

osa: 2307

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

osa: 2242

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

osa: 2232

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

osa: 311

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 8000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 4.6V @ 50mA, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

osa: 2319

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

osa: 2265

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

osa: 2239

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

osa: 2328

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

osa: 2310

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

osa: 2284

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

osa: 2270

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

osa: 2239

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

osa: 5225

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

osa: 2278

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

osa: 2301

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

osa: 2249

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

osa: 2239

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

osa: 2267

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR6A02

osa: 10367

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

osa: 20747

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 1A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

osa: 5683

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 3300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 300mA, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista