Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 21

GKN240/12

osa: 2355

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 320A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

S300J

osa: 2052

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR6045

osa: 5433

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

S320JR

osa: 1959

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 320A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH120100R

osa: 2683

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

GKN130/04

osa: 3738

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 165A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

GKN71/16

osa: 12880

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 95A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR16JR05

osa: 13647

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR40B02

osa: 9617

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

S150MR

osa: 2539

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURH10040R

osa: 3710

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 90ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR85B02

osa: 7804

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 85A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 85A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR8020R

osa: 5366

Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURH7005R

osa: 117

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 70A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH12020

osa: 2900

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

S70G

osa: 9616

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 70A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

S380Z

osa: 1964

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 2000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 380A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 380A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH24040R

osa: 64

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

S70YR

osa: 9576

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 70A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH12035

osa: 2861

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR20A02

osa: 9627

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

GKN130/12

osa: 3687

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 165A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH240150

osa: 50

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRH120100

osa: 2716

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

GKR71/14

osa: 9573

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 95A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

S6J

osa: 18937

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR7530

osa: 5447

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 75A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

GKN240/14

osa: 2352

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 320A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 60A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

SD41

osa: 6564

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

S150J

osa: 2509

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR16BR05

osa: 12966

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR70MR05

osa: 9655

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 70A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR40K05

osa: 9575

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR30KR05

osa: 9582

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR7005R

osa: 7621

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 70A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FR40G05

osa: 9612

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista