Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

Koti
Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

osa: 1156

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

osa: 3030

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

osa: 1552

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

osa: 1213

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

osa: 972

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

osa: 1324

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 200A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

osa: 1192

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

osa: 3096

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

osa: 1844

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

osa: 1342

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

osa: 1491

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FST160150

osa: 1636

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FST10020

osa: 1563

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR300150CTR

osa: 1446

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

osa: 1286

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 125A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A12

osa: 3213

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.35V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A120

osa: 2552

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 160A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 160A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURT20040

osa: 1224

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

osa: 1264

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR60080CT

osa: 795

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTR

osa: 1429

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR50020CTR

osa: 1148

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040

osa: 1070

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

MSRTA300100(A)D

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300100(A)D

osa: 1265

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT400150R

osa: 1842

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CTR

osa: 1542

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT30030R

osa: 1557

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060

osa: 1058

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CTR

osa: 945

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A10

osa: 2503

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.35V @ 120A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FST12045

osa: 1584

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURTA50040

osa: 1062

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURT10005R

osa: 1254

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT60020

osa: 938

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 600A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT50030

osa: 1087

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT40020R

osa: 1393

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

894

«
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
»