Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 25

MURTA20040

osa: 958

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURTA30040

osa: 977

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A120

osa: 3912

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT30045

osa: 1259

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR60040CT

osa: 792

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FST10035

osa: 1520

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURTA200120R

osa: 942

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.6V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURTA300120

osa: 1023

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.6V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CT

osa: 1147

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT200150R

osa: 1663

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURT30020R

osa: 1097

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080

osa: 1313

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060R

osa: 1006

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR120150CTR

osa: 1494

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR50035CT

osa: 1122

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURT40020R

osa: 1057

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT500200R

osa: 1085

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MSRT15060(A)D

osa: 1915

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR300200CTR

osa: 1431

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT12060

osa: 1889

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT40035R

osa: 1140

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURT20020R

osa: 1216

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT40060

osa: 1318

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURTA600120R

osa: 883

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.6V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR50040CTR

osa: 1166

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A060

osa: 4118

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FST10060

osa: 1587

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR300100CT

osa: 1480

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT12020

osa: 1845

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT60060R

osa: 901

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 600A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR10010CTR

osa: 1598

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A045

osa: 3224

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURTA600120

osa: 921

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.6V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A060

osa: 4141

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FST10030

osa: 1544

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT40040

osa: 1158

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista