Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot
MBRF40035
GeneSiC Semiconductor

MBRF40035

osa: 1272

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST8330SM
GeneSiC Semiconductor

FST8330SM

osa: 4061

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST8380M
GeneSiC Semiconductor

FST8380M

osa: 6666

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF10020R
GeneSiC Semiconductor

MURF10020R

osa: 1328

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF10060
GeneSiC Semiconductor

MURF10060

osa: 1344

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF20060R
GeneSiC Semiconductor

MURF20060R

osa: 1221

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST8340M
GeneSiC Semiconductor

FST8340M

osa: 6765

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF20040R
GeneSiC Semiconductor

MURF20040R

osa: 1238

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST8340SM
GeneSiC Semiconductor

FST8340SM

osa: 4100

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF20005R
GeneSiC Semiconductor

MURF20005R

osa: 1265

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST8330M
GeneSiC Semiconductor

FST8330M

osa: 6675

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST83100SM
GeneSiC Semiconductor

FST83100SM

osa: 4093

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF20020R
GeneSiC Semiconductor

MURF20020R

osa: 1218

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF10010
GeneSiC Semiconductor

MURF10010

osa: 1316

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF20060
GeneSiC Semiconductor

MURF20060

osa: 1224

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST8320M
GeneSiC Semiconductor

FST8320M

osa: 6735

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST8335M
GeneSiC Semiconductor

FST8335M

osa: 6678

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF40035R
GeneSiC Semiconductor

MBRF40035R

osa: 1270

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF10040R
GeneSiC Semiconductor

MURF10040R

osa: 1374

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF20010
GeneSiC Semiconductor

MURF20010

osa: 1205

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF10005
GeneSiC Semiconductor

MURF10005

osa: 4079

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF20010R
GeneSiC Semiconductor

MURF20010R

osa: 1208

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST8360M
GeneSiC Semiconductor

FST8360M

osa: 6756

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF10040
GeneSiC Semiconductor

MURF10040

osa: 1369

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF20020
GeneSiC Semiconductor

MURF20020

osa: 1241

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST8380SM
GeneSiC Semiconductor

FST8380SM

osa: 4049

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST8345SM
GeneSiC Semiconductor

FST8345SM

osa: 4049

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF20040
GeneSiC Semiconductor

MURF20040

osa: 1258

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRT500100
GeneSiC Semiconductor

MBRT500100

osa: 1089

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF10020
GeneSiC Semiconductor

MURF10020

osa: 1407

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista