Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot
MBR40020CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR40020CTRL

osa: 4183

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF50080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50080R

osa: 4227

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR30045CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTRL

osa: 4179

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRTA600100
GeneSiC Semiconductor

MBRTA600100

osa: 4223

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF20030
GeneSiC Semiconductor

MBRF20030

osa: 4206

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF50030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50030R

osa: 4285

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF60060R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60060R

osa: 4248

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF20080
GeneSiC Semiconductor

MBRF20080

osa: 4200

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRT30045L
GeneSiC Semiconductor

MBRT30045L

osa: 4200

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRT30030RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT30030RL

osa: 4201

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRTA50080
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50080

osa: 4280

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF600100R
GeneSiC Semiconductor

MBRF600100R

osa: 4237

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRT60040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT60040RL

osa: 4266

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR30030CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTL

osa: 4187

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRT30035L
GeneSiC Semiconductor

MBRT30035L

osa: 4218

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR40020CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR40020CTL

osa: 4235

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF400150
GeneSiC Semiconductor

MBRF400150

osa: 4237

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRTA800150
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800150

osa: 4313

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRT30030L
GeneSiC Semiconductor

MBRT30030L

osa: 4193

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR60035CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTRL

osa: 4179

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF500100R
GeneSiC Semiconductor

MBRF500100R

osa: 4282

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FST6330M
GeneSiC Semiconductor

FST6330M

osa: 4251

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF30005
GeneSiC Semiconductor

MURF30005

osa: 4252

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF300150R
GeneSiC Semiconductor

MBRF300150R

osa: 4233

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR60045CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTL

osa: 4181

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRTA50030R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50030R

osa: 4458

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF30040R
GeneSiC Semiconductor

MURF30040R

osa: 4475

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRTA60030RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60030RL

osa: 4291

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRTA60080R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60080R

osa: 4241

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF50045
GeneSiC Semiconductor

MBRF50045

osa: 4255

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF60045
GeneSiC Semiconductor

MBRF60045

osa: 4456

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRTA60035
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035

osa: 4503

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR60030CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60030CTL

osa: 4179

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRT60020RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT60020RL

osa: 4193

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF12020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF12020R

osa: 4198

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR40040CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTRL

osa: 4211

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista