Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

Koti
Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

GeneSiC Semiconductor

MBRT20040

osa: 1226

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A06

osa: 3244

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTR

osa: 1155

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTS

osa: 1365

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247D

osa: 5080

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A200

osa: 2947

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

FST16035

osa: 1345

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 160A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 160A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A045

osa: 2710

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT30040R

osa: 1073

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A045

osa: 3701

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A04

osa: 3385

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A045

osa: 3289

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 160A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A100

osa: 3572

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A02

osa: 3221

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTR

osa: 1234

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT600200R

osa: 820

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT400100

osa: 1123

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A100

osa: 3337

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 160A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A06

osa: 3768

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR400100CT

osa: 1403

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MSRTA600140(A)

osa: 673

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 600A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 600A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001R

osa: 750

Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 600A (DC), Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MSRTA60060(A)

osa: 682

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 600A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 600A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MSRTA600100(A)

osa: 691

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 600A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 600A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MSRTA60080(A)

osa: 753

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 600A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 600A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045DL

osa: 877

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MSRTA600120(A)

osa: 675

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 600A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 600A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001

osa: 665

Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 600A (DC), Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

GB10SLT12-247D

osa: 8816

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRF120200

osa: 4536

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MURF30020

osa: 4527

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTRL

osa: 4504

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBR30020CTL

osa: 4475

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRF12030

osa: 4508

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRF30020

osa: 4526

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

GeneSiC Semiconductor

MBRT40040RL

osa: 4486

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

894

«
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
»