Ydintyyppi: E, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 47 x 20 x 16,
Ydintyyppi: PQ, Toleranssi: ±25%, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PQ 20 x 16,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 22 x 6 x 16,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C97, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PLT 14 x 5 x 1.5,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 22 x 6 x 16,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 64 x 10 x 50,
Ydintyyppi: ER, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ER 48 x 18 x 18,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 42 x 21 x 15,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3F46, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 18 x 4 x 10,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C92, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 42 x 33 x 20,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 71 x 33 x 32,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 32 x 16 x 9,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 19 x 8 x 5,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: 3F46, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 39 x 20 x 13,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 250nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 14,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 400nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10 x 1,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C95, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 65 x 32 x 27,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 160nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 14,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 39 x 20 x 13,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 47 x 20 x 16,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 630nH, Toleranssi: ±5%, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 8,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 14 x 3.5 x 5,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: 3C95, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 34 x 17 x 11,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C92, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 20 x 10 x 6,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C92, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 38 x 8 x 25,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 400nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C97, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10 x 1,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 250nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C97, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10 x 1,
Ydintyyppi: ER, Toleranssi: ±25%, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ER 18 x 3.2 x 10,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C97, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 64 x 10 x 50,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 36 x 21 x 12,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 16 x 12 x 5,
Ydintyyppi: EP, Toleranssi: ±25%, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): EP 5,
Ydintyyppi: ER, Induktanssikerroin (Al): 100nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ER 14.5 x 3 x 7,
Ydintyyppi: PQ, Toleranssi: ±25%, Aukko: 3F46, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PQ 20 x 20,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C92, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 58 x 11 x 38,
