Ydintyyppi: E, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 20 x 10 x 6,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 20 x 10 x 6,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 42 x 33 x 20,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: 3C97, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 39 x 20 x 13,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 160nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 7,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 54 x 28 x 19,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 64 x 10 x 50,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 18 x 4 x 10,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 65 x 32 x 27,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 19 x 8 x 5,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 34 x 14 x 9,
Ydintyyppi: ER, Induktanssikerroin (Al): 160nH, Toleranssi: ±4%, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ER 14.5 x 3 x 7,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 630nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C91, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10 x 1,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C95, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 71 x 33 x 32,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 160nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C91, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 8,
Ydintyyppi: RM, Toleranssi: ±25%, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 6,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 55 x 28 x 21,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 38 x 8 x 25,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 260nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 8,
Ydintyyppi: RM, Toleranssi: ±25%, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 6,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 20 x 10 x 5,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 55 x 28 x 21,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C95, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 14 x 3.5 x 5,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 56 x 24 x 19,
Ydintyyppi: PLT, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PLT 20 x 14 x 2,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 13 x 6 x 6,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 20 x 10 x 5,
Ydintyyppi: RM, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10 x 1,
Ydintyyppi: U, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): U 25 x 16 x 6,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 63nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 4,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 630nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C97, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10 x 1,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3F4, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 32 x 6 x 20,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 65 x 32 x 27,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 22 x 6 x 16,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 400nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C97, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 14,
Ydintyyppi: PQ, Toleranssi: ±25%, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PQ 32 x 30,
