Muisti

CY7S1061GE-10ZXIT

osa: 2249

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

CY7C131-15JC

osa: 9262

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

CY7C1413KV18-250BZCT

osa: 2217

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 36Mb (2M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C1148KV18-400BZC

osa: 1752

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II+, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

CY14B108N-BA45XI

osa: 1549

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

CY7C1426KV18-300BZXC

osa: 1488

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 36Mb (4M x 9), Kellotaajuus: 300MHz,

CY7C1440KV25-250BZXIT

osa: 1733

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

CY14B104NA-ZS25XET

osa: 2020

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

CY7C1383D-133AXI

osa: 11076

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 133MHz,

CY7C128A-20VC

osa: 8503

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ns,

CY7C1460KV33-250AXI

osa: 1386

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C1250KV18-400BZC

osa: 1202

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II+, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 400MHz,

CY7C1165KV18-550BZXC

osa: 1571

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 550MHz,

CY7C056V-15AC

osa: 9999

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 576Kb (16K x 36), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

CY7C185-20PC

osa: 8614

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ns,

CY7C1414KV18-250BZC

osa: 1605

CY14B116N-BA25XIT

osa: 1270

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

CY7C1423KV18-250BZC

osa: 1541

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 36Mb (2M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C1069G30-10ZSXI

osa: 1664

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

CY7C1370BV25-167AC

osa: 8897

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 167MHz,

CY7C1318KV18-300BZXC

osa: 2150

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 300MHz,

CY14B104NA-ZS45XET

osa: 2108

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

CY7C1061GE30-10ZSXI

osa: 2096

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

CY7C1460KV25-200BZXI

osa: 1511

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 200MHz,

CY7C1415KV18-250BZCT

osa: 2203

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C185-35VC

osa: 9892

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

CY62177EV30LL-55ZXI

osa: 1329

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

CY7C1381KVE33-133AXI

osa: 2224

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 133MHz,

CY7C1148KV18-400BZXC

osa: 1829

CY7C199CN-15ZXC

osa: 2497

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

CY14B116N-Z45XIT

osa: 1531

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

CY7C1425KV18-250BZXC

osa: 1602

CY7C1320KV18-250BZXC

osa: 2250

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C1441KV25-133BZXI

osa: 1606

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 133MHz,

CY62256VLL-70ZC

osa: 8828

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

CY7C1420LV18-250BZXC

osa: 130

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,