Muisti

CY7C1521KV18-250BZXC

osa: 750

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 72Mb (2M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C1263KV18-550BZXC

osa: 891

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 36Mb (2M x 18), Kellotaajuus: 550MHz,

CY7C1361B-100BGC

osa: 4640

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (256K x 36), Kellotaajuus: 100MHz,

CY7C2170KV18-550BZXC

osa: 1076

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II+, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 550MHz,

CY7C1362B-166BGC

osa: 4679

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (512K x 18), Kellotaajuus: 166MHz,

CY7C2270XV18-600BZXC

osa: 857

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II+, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 600MHz,

CY14B108L-ZS45XI

osa: 1158

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

CY14B116M-BZ45XI

osa: 852

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

CY7C1514KV18-250BZC

osa: 805

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 72Mb (2M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

CY14B116N-Z45XI

osa: 1128

CY7C1520KV18-250BZCT

osa: 759

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 72Mb (2M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C1525KV18-250BZCT

osa: 200

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 72Mb (8M x 9), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C2268XV18-600BZXC

osa: 823

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II+, Muistin koko: 36Mb (2M x 18), Kellotaajuus: 600MHz,

CY7C1386D-167AXC

osa: 2221

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 167MHz,

CY7C131-55JXC

osa: 9566

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

CY7C2264XV18-450BZXC

osa: 962

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 450MHz,

CY7C1460AV25-167AXC

osa: 1298

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 167MHz,

CY7C0251-15AXC

osa: 9000

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 144Kb (8K x 18), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

CY7C1513KV18-250BZC

osa: 710

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 72Mb (4M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C018-15AC

osa: 962

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 576Kb (64K x 9), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

CY7C1262XV18-450BZXC

osa: 836

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 36Mb (2M x 18), Kellotaajuus: 450MHz,

CY7C1480BV25-167BZXC

osa: 686

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 72Mb (2M x 36), Kellotaajuus: 167MHz,

CY7C131-25NXC

osa: 9545

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

CY7C1021CV33-15ZXC

osa: 9405

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

CY7C199C-12VXC

osa: 9663

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

CY7C1515KV18-250BZI

osa: 802

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 72Mb (2M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C024-15AXC

osa: 1937

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (4K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

CY14V116G7-BZ30XI

osa: 970

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 30ns,

CY7C1021CV33-15VXC

osa: 9428

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

CY7C2264XV18-366BZXC

osa: 284

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 366MHz,

CY7C1512KV18-250BZCT

osa: 843

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 72Mb (4M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C1525KV18-250BZXIT

osa: 752

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 72Mb (8M x 9), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C1268XV18-633BZXC

osa: 897

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II+, Muistin koko: 36Mb (2M x 18), Kellotaajuus: 633MHz,

CY7C2165KV18-550BZC

osa: 1136

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 550MHz,

CY7C1399B-15ZXC

osa: 6090

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

CY7C245A-18WMB

osa: 4748

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - UV, Muistin koko: 16Kb (2K x 8),