Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

2N5139

osa: 7046

2N4250A

osa: 6987

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

2N4916

osa: 7036

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

2N4250

osa: 6992

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V,

2N3690

osa: 6999

2N3646

osa: 7071

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

2N3640

osa: 7038

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

2N3565

osa: 7032

2N3563

osa: 7012

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V,

2N3564

osa: 7011

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V,

2N4013

osa: 27317

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1.7µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

2N3117

osa: 18319

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V,

2N4036 W/GOLD

osa: 6898

2N4033 W/GOLD

osa: 6923

2N2907A W/GOLD

osa: 6895

2N5194

osa: 6960

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V,

2N5195 SL H

osa: 6970

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N5192R

osa: 6917

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N5192 SL H

osa: 6944

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N2484

osa: 18390

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V,

2N1711

osa: 34721

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N3250

osa: 37068

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

2N3417 APM

osa: 141501

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

2N3393

osa: 9170

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 4.5V,

2N4126

osa: 166458

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

2N3964

osa: 21929

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V,

2N3392

osa: 9947

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V,

2N5210

osa: 162819

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

2N4033

osa: 34787

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

2N3708

osa: 128471

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 1mA, 5V,

2N3417

osa: 12201

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

2N3440

osa: 32876

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

2N2369A

osa: 32929

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 400nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV,

2N3905

osa: 128544

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

2N2219A

osa: 32882

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N3702

osa: 14039

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50µA, 5V,