Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

2N2907

osa: 71827

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6388

osa: 103345

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V,

2N6491

osa: 57368

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

2N6488

osa: 98952

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

2N3715

osa: 10976

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 5A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V,

2N4399

osa: 10965

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V,

2N4058

osa: 175803

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 500µA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100µA, 5V,

2N5366

osa: 180803

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

2N5884

osa: 10495

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

2N1310

osa: 6769

2N4398

osa: 8104

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V,

2N6609

osa: 6711

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V,

2N3711

osa: 128478

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 5V,

2N6123

osa: 30827

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N3773

osa: 957

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V,

2N6052

osa: 1040

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V,

2N3585

osa: 6271

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V,

2N3716

osa: 10983

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 5A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V,

2N6486

osa: 30786

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V,

2N5303

osa: 11025

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V,

2N3055

osa: 14190

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

2N3442

osa: 10977

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 200mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V,

2N3791

osa: 11021

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V,

2N3792

osa: 10966

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V,

2N6055

osa: 10954

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V,

2N3584

osa: 6222

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V,

2N5878

osa: 10960

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

2N6099

osa: 39413

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V,

2N697A

osa: 34738

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N3707

osa: 65426

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

2N2218A

osa: 32902

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N6545

osa: 11027

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 7 @ 5A, 3V,

2N4237

osa: 21319

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 700µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V,

2N3501

osa: 10287

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N2405

osa: 34734

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 90V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 150mA, 10V,

2N2925

osa: 162772

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO),