Tunnistusetäisyys: 0.039" (1mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V,
Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.090" (2.29mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: 2 NPN, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.080" (2.03mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500µA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Photodarlington, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V,
Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 55V,
Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.070" (1.78mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Photodarlington, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V,
Tunnistusetäisyys: 0.100" (2.54mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Photodarlington, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V,
Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Transistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 20mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.8mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.120" (3.05mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Photodarlington, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V,
Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,
Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V,
Tunnistusetäisyys: 1.969" (50mm), Tunnistusmenetelmä: Optical Flag, Lähtökokoonpano: PNP/NPN,
