Optiset anturit - valokatkaisijat - korttipaikan t

HOA0877-N55

osa: 21462

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Transistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

HOA1885-012

osa: 6048

Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

HOA0825-004

osa: 12722

Tunnistusetäisyys: 0.165" (4.2mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Transistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

HOA0866-P55

osa: 6124

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Transistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

HOA0860-N55

osa: 6037

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Transistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

HOA0880-L51

osa: 7377

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Transistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

EE-SA102

osa: 33465

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

EE-SX1082

osa: 6077

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB882P55

osa: 5968

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB877P51

osa: 6123

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB829A

osa: 6084

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB800W51

osa: 9623

Tunnistusetäisyys: 0.375" (9.53mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB380T55

osa: 5957

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB831W55

osa: 6030

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB841W55

osa: 6028

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB370P55

osa: 6091

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB690

osa: 6004

Tunnistusmenetelmä: Optical Flag, Lähtökokoonpano: Transistor, Base-Emitter Resistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB390P51

osa: 6027

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB867L55

osa: 39010

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB876N51

osa: 5948

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB827B

osa: 6005

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB842L55

osa: 6079

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB380L51

osa: 5981

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB892N51Z

osa: 5965

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

QVB11333

osa: 6027

QCK5

osa: 5994

Tunnistusetäisyys: 0.157" (4mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

QVA21213

osa: 6073

QVL25335

osa: 6043

Tunnistusetäisyys: 0.787" (20mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Photodarlington, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

WF5-95B416

osa: 20

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Optical Flag, Lähtökokoonpano: PNP/NPN,

WF50-95B416

osa: 94

Tunnistusetäisyys: 1.969" (50mm), Tunnistusmenetelmä: Optical Flag, Lähtökokoonpano: PNP/NPN,

WFM50-60P321

osa: 93

Tunnistusetäisyys: 1.969" (50mm), Tunnistusmenetelmä: Optical Flag, Lähtökokoonpano: PNP,

WF5-95B410

osa: 69

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Optical Flag, Lähtökokoonpano: PNP/NPN,

GP1S56T

osa: 6022

Tunnistusetäisyys: 0.079" (2mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V,

GP1S097HCZ0F

osa: 101705

Tunnistusetäisyys: 0.079" (2mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V,

EE-SX911P-C1J-R 0.3M

osa: 5949

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: PNP - Open Collector,

LTH-306-64

osa: 132480