Optiset anturit - valokatkaisijat - korttipaikan t

AEDS-9310

osa: 6047

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

AEDS-9300

osa: 6018

Tunnistusetäisyys: 0.106" (2.7mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB876P55

osa: 6000

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB350L125

osa: 15354

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Liquid, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB890N51

osa: 6080

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB848TX

osa: 371

Tunnistusetäisyys: 0.100" (2.54mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB815W

osa: 6075

Tunnistusetäisyys: 0.375" (9.53mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB865P11

osa: 6065

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB820S3

osa: 25077

Tunnistusetäisyys: 0.080" (2.03mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB871N55TX

osa: 270

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB836L55

osa: 6091

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB870L55

osa: 6084

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB881L51

osa: 5923

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB390T11

osa: 6059

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB881L55

osa: 6057

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB871L55TX

osa: 354

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB841L51

osa: 6043

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB375P51

osa: 6050

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB882N51Z

osa: 5948

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

HOA0892-T55

osa: 11970

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Transistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

HOA2862-001

osa: 6138

Tunnistusetäisyys: 0.100" (2.54mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

HOA0861-N55

osa: 21538

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Transistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

OPB705

osa: 31381

QVA21313

osa: 6033

QVA11324

osa: 5935

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

LTH-306-01

osa: 170803

Tunnistusetäisyys: 0.106" (2.7mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 20mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

LTH-306-04M

osa: 165694

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 20mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

PM-T54P

osa: 6016

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

PM-U24-C3

osa: 6087

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

PM-Y64

osa: 9672

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

GP1S56TJ000F

osa: 6037

Tunnistusetäisyys: 0.079" (2mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V,

EE-SH3

osa: 14281

Tunnistusetäisyys: 0.134" (3.4mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

EE-SM3

osa: 6127

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Photodarlington, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 15mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V,

EE-SX1080

osa: 14273

RPI-441C1

osa: 6079

Tunnistusetäisyys: 0.157" (4mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

WF80-95B410

osa: 37

Tunnistusetäisyys: 3.150" (80mm), Tunnistusmenetelmä: Optical Flag, Lähtökokoonpano: PNP/NPN,