Muisti

0791078169RQA00

osa: 4636

051FL164K0XMFI010

osa: 5339

0791076239RQA00

osa: 5347

00101927

osa: 9879

00003138321

osa: 6479

16-4000-01

osa: 1478

16-3603-01-T

osa: 2291

1819-0876

osa: 2246

16-1026012-01

osa: 2272

16-1004144-01

osa: 2183

16-1004144-01-T

osa: 2187

1981819

osa: 2026

1882457

osa: 1569

1936360

osa: 1523

16-3603-01

osa: 4515

10324-06850

osa: 60834

054-51760-57

osa: 3160

054-51760-51

osa: 3208

11AA160-I/WF16K

osa: 974

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA160-I/W16K

osa: 8901

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA080-I/WF16K

osa: 8918

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA160-I/S16K

osa: 8898

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA080-I/W16K

osa: 8833

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA080-I/S16K

osa: 8880

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA040-I/W16K

osa: 8814

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA040-I/WF16K

osa: 8833

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA040-I/S16K

osa: 8801

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA020-I/W16K

osa: 8807

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA020-I/WF16K

osa: 916

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA020-I/S16K

osa: 8783

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA010-I/WF16K

osa: 8772

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA010-I/W16K

osa: 8818

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA010-I/S16K

osa: 8753

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA020T-I/CS16K

osa: 6841

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11AA160T-I/CS16K

osa: 6173

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

11LC161-E/P

osa: 179974

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 100kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,