Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Obsolete |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 30V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
Vgs (enintään) | ±12V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 314pF @ 15V |
FET-ominaisuus | Schottky Diode (Isolated) |
Tehohäviö (maks.) | 1W (Ta) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | 8-MLP, MicroFET (3x2) |
Pakkaus / kotelo | 8-VDFN Exposed Pad |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |