Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
FET-ominaisuus | Logic Level Gate |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 30V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 2.17A, 1.64A |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
Teho - maks | 870mW |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Pakkaus / kotelo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Toimittajalaitepaketti | 8-SOP |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |