Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 600V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±30V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 30V |
FET-ominaisuus | Super Junction |
Tehohäviö (maks.) | 797W (Tc) |
Käyttölämpötila | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | TO-3P(L) |
Pakkaus / kotelo | TO-3PL |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |