| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Active |
|---|---|
| FET-tyyppi | P-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 60V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 104 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (enintään) | +10V, -20V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 10V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehohäviö (maks.) | 27W (Tc) |
| Käyttölämpötila | 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajalaitepaketti | DPAK+ |
| Pakkaus / kotelo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
