Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 500V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 3.2 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±30V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 177pF @ 100V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 69W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | IPAK (TO-251) |
Pakkaus / kotelo | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |