| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Active |
|---|---|
| FET-tyyppi | P-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 8V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 11.7A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 26nC @ 5V |
| Vgs (enintään) | ±5V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 4V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehohäviö (maks.) | 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajalaitepaketti | 4-Microfoot |
| Pakkaus / kotelo | 4-XFBGA, CSPBGA |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
