Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 200V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±20V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 1.9W (Ta) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | PowerPAK® SO-8 |
Pakkaus / kotelo | PowerPAK® SO-8 |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |