Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Obsolete |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 30V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 7.5A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±20V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 15V |
FET-ominaisuus | Schottky Diode (Isolated) |
Tehohäviö (maks.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | 8-SO |
Pakkaus / kotelo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |