Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | P-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 12V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 65nC @ 8V |
Vgs (enintään) | ±8V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2010pF @ 6V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | 6-TSOP |
Pakkaus / kotelo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |