Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | P-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 12V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
Vgs (enintään) | -8V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 6V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 650mW (Ta) |
Käyttölämpötila | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | 8-TSST |
Pakkaus / kotelo | 8-SMD, Flat Lead |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |