Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 600V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 102 mOhm @ 18.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±20V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2720pF @ 25V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 120W (Tc) |
Käyttölämpötila | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | TO-3PF |
Pakkaus / kotelo | TO-3P-3 Full Pack |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |