| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Active |
|---|---|
| FET-tyyppi | N-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 60V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 1nC @ 10V |
| Vgs (enintään) | ±20V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 23.6pF @ 10V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehohäviö (maks.) | 350mW (Ta), 3.1W (Tc) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajalaitepaketti | DFN1006B-3 |
| Pakkaus / kotelo | 3-XFDFN |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
