Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Obsolete |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 800V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±30V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 25V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 200W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | TO-262 (I2PAK) |
Pakkaus / kotelo | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |