Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 500V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±30V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 25V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 200W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | TO-263 (IXFA) |
Pakkaus / kotelo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |