Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 100V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 34nC @ 5V |
Vgs (enintään) | ±16V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 79W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | IPAK (TO-251) |
Pakkaus / kotelo | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |