Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 25V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±20V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 653pF @ 10V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 2.1W (Ta) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | 6-PQFN (2x2) |
Pakkaus / kotelo | 6-PowerVDFN |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |