Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Obsolete |
---|---|
FET-tyyppi | P-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 100V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 420mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±20V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 1.3W (Ta) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pakkaus / kotelo | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |