Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | P-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 30V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 9.8A (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 20V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 12.1 mOhm @ 7.8A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (enintään) | ±25V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 25V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 2.5W (Ta) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | 8-SO |
Pakkaus / kotelo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |