Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Obsolete |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 25V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 84A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Vgs (enintään) | ±20V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1810pF @ 13V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | DIRECTFET™ SQ |
Pakkaus / kotelo | DirectFET™ Isometric SQ |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |