Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Obsolete |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 100V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 27A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±20V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 50V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 58W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | PG-TO262-3 |
Pakkaus / kotelo | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |