| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Active |
|---|---|
| Diodityyppi | Silicon Carbide Schottky |
| Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.) | 650V |
| Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) | 12A (DC) |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos | 1.7V @ 12A |
| Nopeus | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Käänteinen palautumisaika (trr) | 0ns |
| Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr | 190µA @ 650V |
| Kapasitanssi @ Vr, F | 360pF @ 1V, 1MHz |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-247-3 |
| Toimittajalaitepaketti | PG-TO247-3 |
| Käyttölämpötila - risteys | -55°C ~ 175°C |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
