| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Active |
|---|---|
| FET-tyyppi | P-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 60V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs (enintään) | ±20V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 714pF @ 30V |
| FET-ominaisuus | Schottky Diode (Isolated) |
| Tehohäviö (maks.) | 900mW (Ta) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajalaitepaketti | 8-SOIC |
| Pakkaus / kotelo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
