| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Obsolete |
|---|---|
| FET-tyyppi | P-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 20V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs (enintään) | ±8V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
| FET-ominaisuus | Schottky Diode (Isolated) |
| Tehohäviö (maks.) | 1.4W (Ta) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajalaitepaketti | MicroFET 2x2 Thin |
| Pakkaus / kotelo | 6-UDFN Exposed Pad |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
