| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Active |
|---|---|
| FET-tyyppi | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-ominaisuus | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 100V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 23A |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 7nC @ 5V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 50V |
| Teho - maks | - |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Pakkaus / kotelo | Die |
| Toimittajalaitepaketti | Die |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
