Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | P-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 60V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 7.8A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±20V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 969pF @ 30V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 1.2W (Ta) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | 8-SO |
Pakkaus / kotelo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |