Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | P-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 20V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 585nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±12V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 12826pF @ 10V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 2.3W (Ta) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | PowerDI5060-8 |
Pakkaus / kotelo | 8-PowerTDFN |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |